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J-GLOBAL ID：200902284177081337   Reference number：07A0853001

High-Temperature Operation of SiC Power Devices by Low-Temperature Sintered Silver Die-Attachment

低温焼結した銀のダイ付けによるSiCパワーデバイスの高温動作

Author (5)： BAI John Guofeng (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA) ,  YIN Jian (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA) ,  ZHANG Zhiye (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA) ,  LU Guo-Quan (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA) ,  VAN WYK Jacobus Daniel (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA)
Material： IEEE Transactions on Advanced Packaging  (IEEE Trans Adv Packag)
Volume： 30  Issue： 3  Page： 506-510  Publication year： Aug. 2007 
JST Material Number： W0590A  ISSN： 1521-3323  CODEN： ITAPFZ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： high temperature ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 低温焼結 ,  銀 ,  ダイ ,  SiCパワーデバイス ,  高温動作