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J-GLOBAL ID：200902284200590015   Reference number：06A0355213

Analysis of graphene nanoribbons as a channel material for field-effect transistors

電界効果トランジスタのチャネル材料としてのグラフェンナノリボンの分析

Author (8)： OBRADOVIC B. (Process Technol. Modeling, Intel Corp., Hillsboro, Oregon 97124) ,  KOTLYAR R. (Process Technol. Modeling, Intel Corp., Hillsboro, Oregon 97124) ,  HEINZ F. (Process Technol. Modeling, Intel Corp., Hillsboro, Oregon 97124) ,  MATAGNE P. (Process Technol. Modeling, Intel Corp., Hillsboro, Oregon 97124) ,  RAKSHIT T. (Process Technol. Modeling, Intel Corp., Hillsboro, Oregon 97124) ,  GILES M. D. (Process Technol. Modeling, Intel Corp., Hillsboro, Oregon 97124) ,  STETTLER M. A. (Process Technol. Modeling, Intel Corp., Hillsboro, Oregon 97124) ,  NIKONOV D. E. (External Programs, Intel Corp., Hillsboro, Oregon 97124)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 88  Issue： 14  Page： 142102-142102-3  Publication year： Apr. 03, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,...
Semi thesaurus term： forbidden band

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JST classification (2)： Atomic and molecular clusters  (BH09030O) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： 電界効果トランジスタ ,  チャネル ,  グラフェンナノリボン ,  分析