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J-GLOBAL ID：200902284785871855   Reference number：07A0567950

Strong White Photoluminescence from Carbon-Incorporated Silicon Oxide Fabricated by Preferential Oxidation of Silicon in Nano-Structured Si:C Layer

ナノ構造化されたSi:C層における優先酸化により製造された,カーボン-組み込まれシリコン酸化物からの強力な白色光ルミネッセンス

Author (6)： VASIN Andriy V. (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  VASIN Andriy V. (Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, Kiev, UKR) ,  ISHIKAWA Yukari (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  SHIBATA Noriyoshi (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  SALONEN Jarno (Univ. Turku, Turku, FIN) ,  LEHTO Vesa-Pekka (Univ. Turku, Turku, FIN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 46  Issue： 17-19  Page： L465-L467  Publication year： May. 25, 2007 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *doping ,...
Semi thesaurus term： *anodic oxidation

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JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Substance index (1)： Acetylene

Terms in the title (7)： ナノ構造 ,  Si ,  優先酸化 ,  カーボン ,  シリコン酸化物 ,  白色 ,  光ルミネッセンス