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J-GLOBAL ID：200902284994309536   Reference number：07A0889107

Formation of nanoscale fine-structured silicon by pulsed laser ablation in hydrogen background gas

水素バックグラウンドガス中のパルスレーザアブレーションによるナノスケールの微細構造けい素の生成

Author (6)： UMEZU Ikurou (Konan Univ., Kobe, JPN) ,  SUGIMURA Akira (Konan Univ., Kobe, JPN) ,  INADA Mitsuru (Konan Univ., Kobe, JPN) ,  MAKINO Toshiharu (Konan Univ., Kobe, JPN) ,  MATSUMOTO Kimihisa (Konan Univ., Kobe, JPN) ,  TAKATA Masatoshi (Konan Univ., Kobe, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 76  Issue： 4  Page： 045328.1-045328.10  Publication year： Jul. 2007 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： laser ablation ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (6)： 水素 ,  バックグラウンド ,  パルスレーザアブレーション ,  ナノスケール ,  微細構造 ,  けい素