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J-GLOBAL ID：200902285029710178   Reference number：07A0923657

Pulse number control of electrical resistance for multi-level storage based on phase change

相変化に基づくマルチレベル記憶装置における電気抵抗のパルス数制御

Author (5)： NAKAYAMA K (Kanazawa Univ. Kanazawa, JPN) ,  TAKATA M (Kanazawa Univ. Kanazawa, JPN) ,  KASAI T (Kanazawa Univ. Kanazawa, JPN) ,  KITAGAWA A (Kanazawa Univ. Kanazawa, JPN) ,  AKITA J (Kanazawa Univ. Kanazawa, JPN)
Material： Journal of Physics. D. Applied Physics  (J Phys D)
Volume： 40  Issue： 17  Page： 5061-5065  Publication year： Sep. 07, 2007 
JST Material Number： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nonvolatile memory ,...
Semi thesaurus term： *phase change RAM ,...

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JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (5)： 相変化 ,  マルチレベル ,  記憶装置 ,  電気抵抗 ,  パルス数