Art

J-GLOBAL ID：200902285050438348   Reference number：03A0869036

Charge transfer between thermally deposited α-naphthyl-phenyl-diamine and chemical-vapor-deposited homoepitaxial diamond films

熱蒸着したα-ナフチル-フェニル-ジアミンと化学蒸着ホモエピタキシャルダイヤモンド膜相互間の電荷移動

Author (3)： CHUN M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TERAJI T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ITO T (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 83  Issue： 23  Page： 4776-4778  Publication year： Dec. 08, 2003 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： organic semiconductor ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0869036&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Substance index (1)： NPB

Terms in the title (8)： 熱蒸着 ,  フェニル ,  ジアミン ,  化学蒸着 ,  ホモ ,  エピタキシャル ,  ダイヤモンド膜 ,  電荷移動