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J-GLOBAL ID：200902285208246255   Reference number：04A0907028

The generation of misfit dislocations in facet-controlled growth of AlGaN/GaN films

AlGaN/GaN膜のファセット制御成長におけるミスフィット転位の生成

Author (6)： CHERNS D (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  SAHONTA S-L (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  LIU R (Arizona State Univ., Arizona) ,  PONCE F A (Arizona State Univ., Arizona) ,  AMANO H (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI I (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 85  Issue： 21  Page： 4923-4925  Publication year： Nov. 22, 2004 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： facet ,...
Semi thesaurus term： misfit dislocation

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： AlGaN ,  GaN ,  ファセット ,  成長 ,  ミスフィット転位