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J-GLOBAL ID：200902285901424280   Reference number：05A0807983

Selective effect of ion/surface interaction in low frequency PACVD of SiC:H films: Part A. Gas phase considerations

SiC:H膜の低周波数PACVDにおけるイオン/表面の相互作用の選択的効果:パートA 気相の考察

Author (5)： SOUM-GLAUDE A. (CNRS-PROMES, Tecnosud- Rambla de la Thermodynamique, F-66100 Perpignan cedex, FRA) ,  THOMAS L. (CNRS-PROMES, Tecnosud- Rambla de la Thermodynamique, F-66100 Perpignan cedex, FRA) ,  TOMASELLA E. (CNRS-LMI, 24 Avenue des Landais, F-63177 Aubiere cedex, FRA) ,  BADIE J.m. (CNRS-PROMES, BP5 Odeillo, F-66125 Font Romeu cedex, FRA) ,  BERJOAN R. (CNRS-PROMES, BP5 Odeillo, F-66125 Font Romeu cedex, FRA)
Material： Surface & Coatings Technology  (Surf Coat Technol)
Volume： 200  Issue： 1-4  Page： 855-858  Publication year： Oct. 01, 2005 
JST Material Number： D0205C  ISSN： 0257-8972  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (2)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Applications of plasma  (BJ02110K)

Substance index (1)： Tetramethylsilane

Terms in the title (6)： SiC ,  低周波数 ,  イオン ,  相互作用 ,  パート ,  気相