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J-GLOBAL ID：200902286154963165   Reference number：06A0054670

Design of a 128-Mb SOI DRAM Using the Floating Body Cell (FBC)

フローティングボディセル(FBC)を使った128Mb,SOI・DRAMの設計

Author (13)： OHSAWA Takashi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  FUJITA Katsuyuki (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  HATSUDA Kosuke (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  HIGASHI Tomoki (Toshiba Microelectronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHINO Tomoaki (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  MINAMI Yoshihiro (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  NAKAJIMA Hiroomi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  MORIKADO Mutsuo (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  INOH Kazumi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  HAMAMOTO Takeshi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  WATANABE Shigeyoshi (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  FUJII Shuso (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN) ,  FURUYAMA Tohru (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kanagawa, JPN)
Material： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE J Solid-State Circuits)
Volume： 41  Issue： 1  Page： 135-145  Publication year： Jan. 2006 
JST Material Number： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *DRAM ,...
Semi thesaurus term： 1T-1C ,...

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JST classification (2)： General  (NC03161C) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： FBC ,  SOI ,  DRAM ,  設計