Art

J-GLOBAL ID：200902287536376576   Reference number：09A1282950

Preferentially Oriented Growth of Al Thin Films Deposited Rapidly on Si (100) and (111) Substrates

Si(100)および(111)基板に急速蒸着させたAl薄膜の配向成長

Author (5)： SUGAWARA SHIGEO (秋田大学工学資源学部材料工学科) ,  TAKAHASHI HISAO (秋田大学工学資源学部材料工学科) ,  ISHIGAKI MASATOSHI (秋田大学工学資源学部材料工学科) ,  GOTO DAISUKE (秋田大学工学資源学部材料工学科) ,  KOMORI DAISUKE (秋田大学工学資源学部材料工学科)
Material： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
Volume： 73  Issue： 12  Page： 906-912 (J-STAGE)  Publication year： 2009 
JST Material Number： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thin film growth ,  *Aluminum ,  evaporated film ,  *vacuum deposition ,  degree of vacuum ,  wafer ,  semiconductor material ,  single crystal ,  substrate temperature ,  temperature dependence ,  rate of sedimentation ,  dependence ,  *crystal orientation ,  orientation (direction) ,  epitaxy ,  interface (surface) ,  *surface structure ,  X-Ray Diffraction ,  transmission electron microscope ,  electron diffraction ,  crystal structure ,  sequence and arrangement ,  film thickness dependence ,  atomic arrangement ,  Si wafer ,  interface structure ,  *structure
Semi thesaurus term： silicon substrate ,  crystal orientation ,  orientation ,  epitaxial growth ,  interface structure

JST classification (1)： Metallic thin films  (BK14030T)

Reference (10)：

• 1) G. Honjo and K. Yagi: Structures and Properties of Thin Films and Micro Crystals, (Maruzen, Tokyo, 1974) pp. 3-93.
• 2) I. Yamada, H. Inokawa and T. Takagi: J. Appl. Phys. 56(1984) 2746-2750.
• 3) I. Yamada, H. Inokawa and T. Takagi: Thin Solid Films 124(1985) 179-184.
• 4) P. B. Barna and M. Adamik: Science and Technology of Thin Films, (World Scientific, Singapore, 1995) pp. 1-28.
• 5) R. Ludeke, L. L. Chang and L. Esaki: Appl. Phys. Lett. 23(1973) 201-203.

Terms in the title (6)： Si ,  蒸着 ,  Al ,  薄膜 ,  配向 ,  成長