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J-GLOBAL ID：200902287999580059   Reference number：08A0575254

Electrical conductivity and carrier concentration control in β-Ga₂O₃ by Si doping

β-Ga₂O₃の電気伝導度とSiのドーピングによるキャリヤ濃度の制御

Author (5)： VILLORA Encarnacion G. (National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN) ,  SHIMAMURA Kiyoshi (National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN) ,  YOSHIKAWA Yukio (Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima-ku, Tokyo 176-0022, JPN) ,  UJIIE Takekazu (Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima-ku, Tokyo 176-0022, JPN) ,  AOKI Kazuo (Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima-ku, Tokyo 176-0022, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 92  Issue： 20  Page： 202120  Publication year： May. 19, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium oxide ,  compound semiconductor ,  *electrical conductivity ,  *doping ,  silicon ,  carrier density ,  stoichiometry ,  vacancy ,  donor ,  concentration dependence ,  impurity ,  impurity concentration

JST classification (2)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (5)： β-Ga2O3 ,  電気伝導度 ,  Si ,  ドーピング ,  キャリヤ濃度