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J-GLOBAL ID：200902288111368657   Reference number：04A0151012

Band-gap renormalization in highly excited GaN

高励起GaNにおけるバンドギャップくりこみ

Author (3)： NAGAI T (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  INAGAKI T J (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  KANEMITSU Y (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 84  Issue： 8  Page： 1284-1286  Publication year： Feb. 23, 2004 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： *forbidden band

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (3)： GaN ,  バンドギャップ ,  くりこみ