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J-GLOBAL ID：200902288363379651   Reference number：05A0696955

Chemical reaction at the interface between polycrystalline Si electrodes and HfO₂/Si gate dielectrics by annealing in ultrahigh vacuum

多結晶Si電極とHfO₂/Siゲート絶縁体界面での超高真空中アニールによる化学反応

Author (9)： TAKAHASHI H. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TOYODA S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OKABAYASHI J. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KUMIGASHIRA H. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OSHIMA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUGITA Y. (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kanagawa, JPN) ,  LIU G. L. (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kanagawa, JPN) ,  LIU Z. (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kanagawa, JPN) ,  USUDA K. (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kanagawa, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 87  Issue： 1  Page： 012903.1-012903.3  Publication year： Jul. 04, 2005 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gate (semiconductor) ,...

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JST classification (2)： Dielectrics in general  (BM05010F) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (8)： 多結晶Si ,  HfO2 ,  Si ,  ゲート絶縁体 ,  界面 ,  高真空 ,  アニール ,  化学反応