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J-GLOBAL ID：200902289062830940   Reference number：09A0518010

Single-Chip Boost Converter Using Monolithically Integrated AlGaN/GaN Lateral Field-Effect Rectifier and Normally Off HEMT

モノリシック集積化AlGaN/GaN横形電界効果型整流器と常時オフ型HEMTを用いたシングルチップ昇圧変換器

Author (4)： CHEN Wanjun (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  CHEN Wanjun (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  WONG King-Yuen (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  CHEN Kevin J. (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 30  Issue： 5  Page： 430-432  Publication year： May. 2009 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor integrated circuit ,  compound semiconductor ,  nitride ,  gallium compound ,  aluminum compound ,  gallium nitride ,  electric field effect ,  rectifier ,  HEMT ,  *DC-DC converter ,  DC-DC conversion ,  *switching regulator ,  ion implantation

JST classification (1)： Power converters  (NB08030B)

Terms in the title (8)： モノリシック集積化 ,  AlGaN ,  GaN ,  横形 ,  電界効果 ,  整流器 ,  HEMT ,  昇圧変換器