Art

J-GLOBAL ID：200902289121473854   Reference number：06A0355218

InGaAs dual channel transistors with negative differential resistance

微分負性抵抗をもつInGaAs二重チャネルトランジスタ

Author (5)： SUGAYA Takeyoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568, Japan and CREST ...) ,  KOMORI Kazuhiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568, Japan and CREST ...) ,  YAMANE Takashi (Shibaura Inst. of Technol., 3-9-14 Shibaura, Minato-ku, Tokyo 108-8548, JPN) ,  HORI Souichirou (Shibaura Inst. of Technol., 3-9-14 Shibaura, Minato-ku, Tokyo 108-8548, JPN) ,  YONEI Kenji (Shibaura Inst. of Technol., 3-9-14 Shibaura, Minato-ku, Tokyo 108-8548, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 88  Issue： 14  Page： 142107-142107-3  Publication year： Apr. 03, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： negative resistance ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0355218&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (5)： 微分 ,  負性抵抗 ,  InGaAs ,  二重チャネル ,  トランジスタ