Fabrication of a submicron source-drain gap for p-i-p field effect transistors using epitaxial diamond layers

KAWAKAMI N; YOKOTA Y; TACHIBANA T; HAYASHI K; INOUE K; KOBASHI K

Art

J-GLOBAL ID：200902289161548393 Reference number：04A0849158

Fabrication of a submicron source-drain gap for p-i-p field effect transistors using epitaxial diamond layers

エピタキシャルダイヤモンド層を用いるソース-ドレインギャップがサブミクロンのp-i-p電界効果トランジスタの作製

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Volume： 13 Issue： 11/12 Page： 1939-1943 Publication year： Nov. 2004
JST Material Number： W0498A ISSN： 0925-9635 Document type： Article
Article type：原著論文 Country of issue： Netherlands (NLD) Language： ENGLISH (EN)

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Transistors

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