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J-GLOBAL ID：200902289402677211   Reference number：09A0125664

Overestimation of the field-effect mobility via transconductance measurements and the origin of the output/transfer characteristic discrepancy in organic field-effect transistors

有機電界効果トランジスタにおける相互コンダクタンス測定による電界効果移動度の過大評価及び出力/伝達特性の不一致の原因

Author (2)： REESE Colin (Dep. of Chemical Engineering, Stanford Univ., 381 North-South Mall, Stanford, California 94305, USA) ,  BAO Zhenan (Dep. of Chemical Engineering, Stanford Univ., 381 North-South Mall, Stanford, California 94305, USA)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 105  Issue： 2  Page： 024506  Publication year： Jan. 15, 2009 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thin film transistor ,  *carrier mobility ,  *current-voltage characteristic ,  contact resistance ,  mutual conductance ,  characteristic ,  voltage dependence ,  *field effect mobility
Semi thesaurus term： output characteristic ,  *organic field-effect transistor

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 有機電界効果トランジスタ ,  相互コンダクタンス ,  電界効果移動度 ,  評価 ,  伝達特性 ,  原因