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J-GLOBAL ID：200902289593727930   Reference number：06A0145613

Molecular dynamics simulation of icosahedral Si quantum dot formation from liquid droplets

液滴からの20面体Si量子ドット形成の分子動力学シミュレーション

Author (4)： NISHIO Kengo (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MORISHITA Tetsuya (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SHINODA Wataru (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MIKAMI Masuhiro (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 72  Issue： 24  Page： 245321.1-245321.4  Publication year： Dec. 2005 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 液滴 ,  20面体 ,  Si ,  量子ドット ,  分子動力学シミュレーション