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J-GLOBAL ID：200902290425416120   Reference number：05A0535157

Suppression of Boron Penetration from Source/Drain-Extension to Improve Gate Leakage Characteristics and Gate-Oxide Reliability for 65-nm Node CMOS and Beyond

65nmノードCMOS,およびその先の技術ためのゲート リーク特性及び酸化膜品質改善のS/D線上からのボロン浸透の抑制

Author (8)： HAYASHI Takashi (Renesas Technol. Corperation, Hyogo, JPN) ,  YAMASHITA Tomohiro (Renesas Technol. Corperation, Hyogo, JPN) ,  SHIGA Katsuya (Renesas Technol. Corperation, Hyogo, JPN) ,  HAYASHI Kiyoshi (Renesas Technol. Corperation, Hyogo, JPN) ,  ODA Hidekazu (Renesas Technol. Corperation, Hyogo, JPN) ,  EIMORI Takahisa (Renesas Technol. Corperation, Hyogo, JPN) ,  INUISHI Masahide (Renesas Technol. Corperation, Hyogo, JPN) ,  OHJI Yuzuru (Renesas Technol. Corperation, Hyogo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 4B  Page： 2157-2160  Publication year： Apr. 30, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *CMOS structure ,...
Semi thesaurus term： PMOS structure

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JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (5)：

• 1) Y. Nakahara et al.: IEDM Tech. Dig. (2003) p. 281.
• 2) N. Kimizuka et al.: Symp. VLSI Tech. (1999) p. 73.
• 3) K. P. Cheung et al.: VLSI Tech Dig. (1998) p. 198.
• 4) A. I. Chou et al.: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 934.
• 5) T. Yamashita et al.: VLSI Symp. (2004) p. 136.

Terms in the title (9)： ノード ,  CMOS ,  先 ,  ゲート ,  リーク ,  酸化膜 ,  品質改善 ,  ボロン ,  浸透