Ge-on-Si p-i-n Photodiodes With a 3-dB Bandwidth of 49GHz

KLINGER S.; BERROTH M.; KASCHEL M.; OEHME M.; KASPER E.

Art

J-GLOBAL ID：200902290599107410 Reference number：09A0887046

Ge-on-Si p-i-n Photodiodes With a 3-dB Bandwidth of 49GHz

49GHzの3dB帯域幅をもつSi上のGe pinフォトダイオード

Publisher site Copy service {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=09A0887046&COPY=1") }}
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Volume： 21 Issue： 13/16 Page： 920-922 Publication year： Jul. 01, 2009
JST Material Number： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL Document type： Article
Article type：短報 Country of issue： United States (USA) Language： ENGLISH (EN)

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Photodetectors

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