Art

J-GLOBAL ID：200902291327221279   Reference number：09A0802799

Sedimentation of impurity atoms in InSb semiconductor under a strong gravitational field

強重力場下でのInSb半導体中の不純物原子の堆積

Author (5)： IGUCHI Yusuke (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  ONO Masao (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN) ,  OKAYASU Satoru (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN) ,  MASHIMO Tsutomu (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  MASHIMO Tsutomu (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
Material： Defect and Diffusion Forum  (Diffusion and Defect Data. Part A. Defect and Diffusion Forum)
Volume： 289/292  Page： 319-322  Publication year： 2009 
JST Material Number： D0958B  ISSN： 1012-0386  Document type： Article
Country of issue： Switzerland (CHE)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (4)： 強重力場 ,  InSb ,  不純物原子 ,  堆積