Art

J-GLOBAL ID：200902291343715222   Reference number：04A0657476

Theoretical Study of Resonant Tunneling and Dwell Time in a Single Barrier Structure with Outer Wells

外部井戸を有する単一障壁構造における共鳴トンネル特性及び滞在時間の解析

Author (3)： HAMAGUCHI HIROKI (福井大 大学院工学研究科) ,  YAMAMOTO HIROAKI (福井大 工) ,  YAMADA NORIFUMI (福井大 工)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
Volume： J87-C  Issue： 9  Page： 738-741  Publication year： Sep. 01, 2004 
JST Material Number： S0623C  ISSN： 1345-2827  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *resonance tunnel effect ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0657476&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0623C") }}

JST classification (1)： Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H)

Reference (10)：

• KANE, E. O. Basic concepts of tunneling. Tunneling Phenomena in Solids. 1969, 1-11
• TSU, R. Tunneling in a finite superlattice. Appl. Phys. Lett. 1973, 22, 11, 562-564
• CHANG, L. L. Resonant tunneling in semiconductor double barriers. Appl. Phys. Lett. 1974, 24, 12, 593-595
• YAMAMOTO, H. Resonance tunneling condition and transmission coefficient in a symmetrical one-dimensional rectangular double-barrier systems. Appl. Phys. A. 1987, 42, 3, 245-248
• RIECHERT, H. High performance resonant tunnelling structures on GaAs substrates. Electron. Lett. 1990, 26, 5, 340-342

Terms in the title (6)： 井戸 ,  障壁 ,  共鳴 ,  トンネル ,  滞在時間 ,  解析