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J-GLOBAL ID：200902292782721340   Reference number：03A0330181

Selective Wet Etching for High-K Material by Organic Solvent Containing Hydrofluoric Acid

ふっ化水素酸を含む有機溶媒による高-K材料のための選択的湿式エッチング

Author (7)： WATANABE D (Daikin Ind., Ltd., Osaka, JPN) ,  MOMOTA H (Daikin Ind., Ltd., Osaka, JPN) ,  KEZUKA T (Daikin Ind., Ltd., Osaka, JPN) ,  KANEMURA T (Daikin Ind., Ltd., Osaka, JPN) ,  ITANO M (Daikin Ind., Ltd., Osaka, JPN) ,  RILEY D (International Sematech, Texas) ,  BARNETT J (International Sematech, Texas)
Material： Proceedings. Semiconductor Pure Water and Chemicals Conference  (Proc Semicond Pure Water Chem Conf)
Volume： 22nd  Page： 117-130  Publication year： 2003 
JST Material Number： W0077A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *hydrogen fluoride ,...
Semi thesaurus term： etching rate

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： ふっ化水素酸 ,  有機溶媒 ,  高 ,  湿式エッチング