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J-GLOBAL ID：200902293276991271   Reference number：06A0037151

Development of High Electron Mobility Transistor

高電子移動度トランジスタの開発

Author (1)： MIMURA Takashi (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 12  Page： 8263-8268  Publication year： Dec. 15, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (27)：

• 1) T. Mimura: Japan Patent 1409643 (1987).
• 2) T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii and K. Nanbu: Jpn. J. Appl. Phys. 19 (1980) L225.
• 3) T. Mimura, S. Hiyamizu, H. Hashimoto and M. Fukuta: Proc. Device Research Conf., Ithaca, NY, 1980, WA-B5.
• 4) T. Mimura, K. Joshin, S. Hiyamizu, K. Hikosaka and M. Abe: Jpn. J. Appl. Phys. 20 (1981) L598.
• 5) H. Suzuki, M. Ohishi, N. Kaifu, S. Ishikawa and T. Kasuga: Publ. Astron. Soc. Jpn. 38 (1986) 911.

Terms in the title (2)： 高電子移動度トランジスタ ,  開発