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J-GLOBAL ID：200902293586466134   Reference number：09A0818160

Anodic Dissolution of n-GaP (111) Surfaces in Aqueous NaOH Solutions

n型GaP結晶(111)面のNaOH水溶液におけるアノード溶解

Author (2)： SUGAWARA SHIGEO (秋田大学工学資源学部材料工学科) ,  KAMADA NAOHARU (秋田大学工学資源学部材料工学科)
Material： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
Volume： 73  Issue： 8  Page： 613-617 (J-STAGE)  Publication year： 2009 
JST Material Number： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium phosphide ,  N-type semiconductor ,  light emitting diode ,  *lattice defect ,  *anodic dissolution ,  *micro structure ,  sodium hydroxide ,  voltage dependence ,  surface structure ,  etch pit ,  whisker ,  positive hole ,  single crystal ,  wafer ,  dislocation(crystal) ,  scanning electron microscope ,  atomic force microscope ,  current-voltage characteristic
Semi thesaurus term： GaP ,  crystal defect ,  microstructure ,  surface morphology ,  whisker

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (10)：

• 1) A. Tanaka: Handbook for Crystal Growth, (Kyoritsu Shuppan, Tokyo, 1995) pp. 430-434.
• 2) J. L. Richards and A. J. Crocker: J. Appl. Phys. 31(1960) 611-613.
• 3) M. S. Abrahams and C. J. Buiocchi: J. Appl. Phys. 36(1965) 2855-2863.
• 4) S. Sugawara: J. Japan Inst. Metals 63(1999) 435-439.
• 5) S. Sugawara and Y. Sato: Mater. Trans. JIM 41(2000) 264-267.

Terms in the title (4)： GAP ,  結晶 ,  NaOH水溶液 ,  アノード溶解