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J-GLOBAL ID：200902293662184194   Reference number：06A0179770

Growth of single-domain GaN layers on Si(001) by metalorganic vapor-phase epitaxy

有機金属気相成長によるSi(001)上への単一領域GaN層の成長

Author (7)： SCHULZE F. (Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Inst. fuer Experimentelle Physik, Fakultaet fuer Naturwissenschaften ...) ,  DADGAR A. (Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Inst. fuer Experimentelle Physik, Fakultaet fuer Naturwissenschaften ...) ,  BLAESING J. (Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Inst. fuer Experimentelle Physik, Fakultaet fuer Naturwissenschaften ...) ,  HEMPEL T. (Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Inst. fuer Experimentelle Physik, Fakultaet fuer Naturwissenschaften ...) ,  DIEZ A. (Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Inst. fuer Experimentelle Physik, Fakultaet fuer Naturwissenschaften ...) ,  CHRISTEN J. (Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Inst. fuer Experimentelle Physik, Fakultaet fuer Naturwissenschaften ...) ,  KROST A. (Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Inst. fuer Experimentelle Physik, Fakultaet fuer Naturwissenschaften ...)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 289  Issue： 2  Page： 485-488  Publication year： Apr. 01, 2006 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： X-ray structure analysis ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (5)： 有機金属 ,  気相成長 ,  Si ,  GaN ,  成長