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J-GLOBAL ID：200902293849708006   Reference number：05A0497668

Transition from Active to Passive Oxidation on Si(111)7×7 Surface

Si(111)7×7表面上でのアクティブからパッシブ酸化への遷移

Author (3)： SUZUKI YOSHIKAZU (大阪市大 大学院工学研究科) ,  FUKUDA TSUNEO (大阪市大 大学院工学研究科) ,  NAKAYAMA HIROSHI (大阪市大 大学院工学研究科)
Material： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
Volume： 48  Issue： 5  Page： 350-352  Publication year： May. 20, 2005 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon ,...
Semi thesaurus term： アクティブ酸化 ,...

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JST classification (2)： Other noncatalytic reactions  (CB06070U) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (5)：

• 1) F. W. Smith and G. Ghidini: J. Electrochemi. Soc., 129 (1982) 1300.
• 2) A. A. Shklyaef and T. Suzuki: Phys. Rev. Lett., 75 (1995) 272.
• 3) S. Hildebrandt, A. Kraus, R. Kulla and H. Neddermeyer: Appl. Surf. Sci., 141 (1999) 294.
• 4) J. A. Venables: Phys. Rev., B56 (1987) 4153.
• 5) Ing-Shouh Hwang, Rong-Li Lo and Tien T. Tsong: Phys. Rev. Lett., 78 (1997) 4797.

Terms in the title (4)： Si ,  パッシブ ,  酸化 ,  遷移