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J-GLOBAL ID：200902294057376541   Reference number：08A0934060

Electron emission from nanocrystalline silicon based MOS cathodes

シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性

Author (7)： SHIMAWAKI HIDETAKA (八戸工大 大学院工学研究科) ,  KIDA YO (八戸工大 大学院工学研究科) ,  NEO YOICHIRO (静岡大 電子工研) ,  MIMURA HIDENORI (静岡大 電子工研) ,  MURAKAMI KATSUHISA (大阪大 極限量子科学研究セ) ,  WAKAYA FUJIO (大阪大 極限量子科学研究セ) ,  TAKAI MIKIO (大阪大 極限量子科学研究セ)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 108  Issue： 177(ED2008 109-123)  Page： 15-20  Publication year： Jul. 28, 2008 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *cathode ,  *electron emission ,  characteristic ,  silicon ,  microcrystal ,  nanostructure ,  pore ,  microcrystalline silicon ,  nanohole
Semi thesaurus term： *cold cathode ,  *電界電子放出

JST classification (2)： Electron and ion beams  (BD02030F) ,  Other electric and electronic parts  (NA05090R)

Reference (8)：

• YOKOO, K. J. Vac. Sci. Technol. B. 1993, 11, 429
• YOKOO, K. J. Vac. Sci. Technol. B. 1994, 12, 801
• YOKOO, K. J. Vac. Sci. Technol. B. 1996, 14, 2096
• IKEDA, J. J. Vac. Sci. Technol. B. 1998, 16, 818
• MIMURA, H. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 123514

Terms in the title (6)： シリコン ,  微結晶 ,  放射 ,  冷陰極 ,  電子 ,  放射特性