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J-GLOBAL ID：200902294124388274   Reference number：06A0134813

Physics-based simulation of buffer-trapping effects on slow current transients and current collapse in GaN field effect transistors

GaN電界効果トランジスタにおける緩慢電流過渡および電流崩壊に対するバッファ捕獲効果の物理的シミュレーション

Author (4)： HORIO Kazushige (Fac. of Systems Engineering, Shibaura Inst. of Technol., 307 Fukasaku, Minuma-ku, Saitama 337-8570, JPN) ,  YONEMOTO Ken (Fac. of Systems Engineering, Shibaura Inst. of Technol., 307 Fukasaku, Minuma-ku, Saitama 337-8570, JPN) ,  TAKAYANAGI Hiroki (Fac. of Systems Engineering, Shibaura Inst. of Technol., 307 Fukasaku, Minuma-ku, Saitama 337-8570, JPN) ,  NAKANO Hiroyuki (Fac. of Systems Engineering, Shibaura Inst. of Technol., 307 Fukasaku, Minuma-ku, Saitama 337-8570, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 98  Issue： 12  Page： 124502-124502-7  Publication year： Dec. 15, 2005 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： 半絶縁性 ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： GaN ,  電界効果トランジスタ ,  崩壊 ,  バッファ ,  捕獲 ,  物理 ,  シミュレーション