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J-GLOBAL ID：200902294777144214   Reference number：08A0175919

2Mb SPRAM (SPin-Transfer Torque RAM) With Bit-by-Bit Bi-Directional Current Write and Parallelizing-Direction Current Read

ビット毎双方向電流書き込みおよび平行化方向電流読み込みを用いた2Mb-SPRAM(SPin-Transfer Torque RAM)

Author (15)： KAWAHARA Takayuki (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  TAKEMURA Riichiro (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIURA Katsuya (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  HAYAKAWA Jun (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  HAYAKAWA Jun (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  IKEDA Shoji (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  LEE Young Min (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  SASAKI Ryutaro (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  GOTO Yasushi (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  ITO Kenchi (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  MEGURO Toshiyasu (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  MATSUKURA Fumihiro (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  TAKAHASHI Hiromasa (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  MATSUOKA Hideyuki (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHNO Hideo (Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
Material： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE J Solid-State Circuits)
Volume： 43  Issue： 1  Page： 109-120  Publication year： Jan. 2008 
JST Material Number： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： electric current ,  interrupt ,  magnesium oxide ,  potential barrier ,  magnetic reluctance ,  *magnetoresistance effect ,  spin ,  Torque ,  *RAM ,  communication line ,  collimation ,  *nonvolatile memory ,  *storage system ,  tunnel junction ,  logic circuit ,  semiconductor process ,  data writing ,  data reading ,  *magneto resistive device ,  *universal memory
Semi thesaurus term： TMR ,  spin transition ,  tunnel barrier ,  bit line

JST classification (3)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Memory systems  (JC02040V) ,  Magnetoelectric devices  (NC03100X)

Terms in the title (8)： ビット ,  双方向 ,  書き込み ,  平行化 ,  読み込み ,  SPRAM ,  SPIN ,  RAM