Art

J-GLOBAL ID：200902295850192750   Reference number：08A0511042

Intersubband transitions in ZnO multiple quantum wells

ZnO多重量子井戸におけるサブバンド間遷移

Author (3)： BELMOUBARIK M. (Lab. for Nanoelectronics and Spintronics, Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., Katahira 2-1-1 ...) ,  OHTANI K. (Lab. for Nanoelectronics and Spintronics, Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., Katahira 2-1-1 ...) ,  OHNO H. (Lab. for Nanoelectronics and Spintronics, Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., Katahira 2-1-1 ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 92  Issue： 19  Page： 191906  Publication year： May. 12, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *multiple quantum well ,  *electronic transition ,  *zinc oxide ,  photocurrent ,  spectrum ,  polarized light ,  TM mode ,  compound semiconductor ,  semiconductor material
Semi thesaurus term： *intersubband transition ,  photocurrent spectrum

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (3)： ZnO ,  多重量子井戸 ,  サブバンド間遷移