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J-GLOBAL ID：200902296144217762   Reference number：09A1196791

時代が求める「シリコンカーバイド」-プロセス編 溶液成長によるSiC単結晶の育成

Author (1)： KAMEI KAZUHITO (住友金属工業)
Material： 工業材料  (Engineering Materials)
Volume： 57  Issue： 12  Page： 28-31  Publication year： Dec. 01, 2009 
JST Material Number： F0172A  ISSN： 0452-2834  CODEN： KZAIA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *single crystal ,  *solution growth ,  crystallization ,  semiconductor device ,  Titanium ,  molten salt ,  rate of crystallization ,  polymorphism ,  MOSFET ,  nucleation ,  dislocation(crystal) ,  compound semiconductor ,  crystallizer ,  LPE growth ,  lattice defect
Semi thesaurus term： power device

JST classification (1)： Crystal growth of other inorganic compounds  (BK13060T)

Terms in the title (5)： シリコンカーバイド ,  プロセス ,  溶液成長 ,  SiC ,  単結晶の育成