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J-GLOBAL ID：200902296451901450   Reference number：05A0063624

Intersubband electronic Raman scattering in narrow GaAs single quantum wells dominated by single-particle excitations

1粒子励起に支配された狭いGaAs単一量子井戸におけるサブバンド間電子Raman散乱

Author (9)： UNUMA T (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  KOBAYASHI K (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  YAMAMOTO A (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  YOSHITA M (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  HASHIMOTO Y (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  KATSUMOTO S (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  IYE Y (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  KANEMITSU Y (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  AKIYAMA H (Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 70  Issue： 15  Page： 153305.1-153305.4  Publication year： Oct. 2004 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (2)： Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of semiconductors  (BM08066B) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (6)： 励起 ,  支配 ,  GaAs ,  単一量子井戸 ,  サブバンド ,  電子Raman散乱