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J-GLOBAL ID：200902296515753670   Reference number：03A0729899

Characterization of the Frequency Dispersion of Transconductance and Drain Conductance of GaAs MESFET

GaAs MESFETの相互コンダクタンスとドレインコンダクタンスの周波数分散のキャラクタリゼーション

Author (4)： HASUMI Y (Chiba Inst. Technol., Chiba, JPN) ,  MATSUNAGA N (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  OSHIMA T (Chiba Inst. Technol., Chiba, JPN) ,  KODERA H (Chiba Inst. Technol., Chiba, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 50  Issue： 10  Page： 2032-2038  Publication year： Oct. 2003 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MESFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： GaAs ,  MESFET ,  相互コンダクタンス ,  周波数分散 ,  キャラクタリゼーション