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J-GLOBAL ID：200902297147189910   Reference number：06A1014497

The Effect of an Fe-doped GaN Buffer on OFF-State Breakdown Characteristics in AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate

Si基板上のAlGaN/GaN HEMTのオフ状態破壊特性へのFeドープGaNバッファの影響

Author (6)： CHOI Young Chul (Cornell Univ., NY, USA) ,  POPHRISTIC Milan (Velox Semiconductor Corp., NJ, USA) ,  CHA Ho-Young (GE Global Res., NY, USA) ,  PERES Boris (Velox Semiconductor Corp., NJ, USA) ,  SPENCER Michael G. (Cornell Univ., NY, USA) ,  EASTMAN Lester F. (Cornell Univ., NY, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 53  Issue： 12  Page： 2926-2931  Publication year： Dec. 2006 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...
Semi thesaurus term： AlGaN/GaN ,...

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JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Insulating materials  (NA04030W)

Terms in the title (9)： Si基板 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  オフ状態 ,  破壊特性 ,  Fe ,  ドープ ,  バッファ