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J-GLOBAL ID：200902297948003460   Reference number：06A0516154

High electron mobility of indium oxide grown on yttria-stabilized zirconia

酸化イットリウム-安定化酸化ジルコニウム上に成長した酸化インジウムの高電子移動度

Author (2)： KOIDA T. (Res. Center for Photovoltaics, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Central 2, Umezono ...) ,  KONDO M. (Res. Center for Photovoltaics, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Central 2, Umezono ...)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 99  Issue： 12  Page： 123703-123703-6  Publication year： Jun. 15, 2006 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thin film growth ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Terms in the title (6)： 酸化イットリウム ,  安定化 ,  酸化ジルコニウム ,  成長 ,  酸化インジウム ,  電子移動度