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J-GLOBAL ID：200902298245237538   Reference number：04A0164665

Effects of Bi₂O₃ seeding layer on crystallinity and electrical properties of CSD-derived Bi_4-xLa_xTi₃O₁₂ ferroelectric thin films

CSDによるBi_4-xLa_xTi₃O₁₂強誘電体薄膜の結晶性と電気特性に及ぼすBi₂O₃シード層の影響

Author (4)： HAYASHI T (Shonan Inst. of Technol., Kanagawa, JPN) ,  TOGAWA D (Shonan Inst. of Technol., Kanagawa, JPN) ,  SAKAMOTO W (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HIRANO S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Journal of the European Ceramic Society  (J Eur Ceram Soc)
Volume： 24  Issue： 6  Page： 1621-1624  Publication year： 2004 
JST Material Number： E0801B  ISSN： 0955-2219  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ferroelectrics ,...
Semi thesaurus term： 化学溶液堆積層 ,...

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JST classification (2)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (6)： CSD ,  強誘電体薄膜 ,  結晶性 ,  電気特性 ,  Bi2O3 ,  シード層