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J-GLOBAL ID：200902298343014202   Reference number：04A0368644

2.43 μm Light Emission of InGaAsSbN Quantum Well Diodes Grown on InP Substrates

InP基板上に成長したInGaAsSbN量子井戸ダイオードの2.43μm光放出

Author (5)： KAWAMURA Y (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAGAWA T (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  AMANO M (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  OUCHI K (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  INOUE N (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 43  Issue： 4B  Page： L530-L532  Publication year： Apr. 15, 2004 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： arsenide ,...

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JST classification (2)： Diodes  (NC03050R) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (14)：

• 1) J. G. Kim, L. Shterengas, R. U. Martinelli, G. L. Belenky, D. Z. Garbuzov and W. K. Chan: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 3146.
• 2) M. Oishi, M. Yamamoto and K. Kasaya: IEEE Photon. Technol. Lett. 9 (1997) 431.
• 3) G. K. Kuang, G. Bohm, M. Grau, G. Rosei, R. Meyer and M.-C. Amann: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 1091.
• 4) M. Peter, R. Kiefer, F. Fuchs, N. Herres, K. Winkler, K.-H. Bachem and J. Wagner: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1951.
• 5) H. Takasaki, Y. Kawamura, T. Katayama, A. Yamamoto and N. Inoue: J. Cryst. Growth 227/228 (2001) 294.

Terms in the title (5)： InP ,  成長 ,  量子井戸 ,  ダイオード ,  光放出