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J-GLOBAL ID：200902298352049574   Reference number：09A0154112

Coarse-Grained Analysis of Crystalline Defects Caused by Ion Beam Irradiation:PM (Pixel Mapping) Method

イオンビームに誘起される格子欠陥の粗視化解析

Author (1)： NAKAGAWA SACHIKO (岡山理科大学 大学院理学研究科材質)
Material： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
Volume： 129  Issue： 2  Page： 238-243 (J-STAGE)  Publication year： 2009 
JST Material Number： S0810A  ISSN： 0385-4221  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *lattice defect ,  pixel ,  structural phase transition ,  crystal orientation ,  complex defect ,  coarse-graining ,  *ion-beam analysis
Semi thesaurus term： *ion beam analysis ,  mapping ,  長距離秩序 ,  categorization

JST classification (1)： Experimental techniques of observation of lattice defects  (BK12020U)

Reference (25)：

• (1) S. T. Nakagawa : “Pixel mapping analysis to characterize long-range order interactions during ion impacts”, Phys. Rev. B Vol. 66, 094103/1-7 (2002)
• (2) S. T. Nakagawa : “Crystallographic analysis of phase-changes in cubic crystals”, J. Phys. Soc. Japan Vol. 76, 034603/1-12 (2007)
• (3) S. T. Nakagawa : Ion beams in Nanoscience and Technology, Chapter 6, Springer-Verlag, Berlin, in press (2008)
• (4) R. Simonton and F. Sinclair : “Ion implantation applications in CMOS technology”, in Ion implantation Technology, Ed. by J. F. Ziegler, pp. 272-361, North-Holland, Amsterdam (1992)
• (5) S. T. Nakagawa : “The interaction between ion beam and matters”, J. Plasma & Fusion Res. Vol. 78, pp. 554-562 (2002) (in Japanese)

Terms in the title (5)： イオンビーム ,  誘起 ,  格子欠陥 ,  粗視化 ,  解析