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J-GLOBAL ID：200902299630934378   Reference number：07A0875250

Application of RADSAFE to Model the Single Event Upset Response of a 0.25μm CMOS SRAM

0.25μm CMOS SRAMのシングルイベントアップセット応答をモデル化するためのRADSAFEの応用

Author (11)： WARREN Kevin M. (Inst. Space and Defense Electronics, TN, USA) ,  WELLER Robert A. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  SIERAWSKI Brian D. (Inst. Space and Defense Electronics, TN, USA) ,  REED Robert A. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  MENDENHALL Marcus H. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  SCHRIMPF Ronald D. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  MASSENGILL Lloyd W. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  PORTER Mark E. (Medtronic Microelectronics Center, Inc., AZ, USA) ,  WILKINSON Jeffrey D. (Medtronic CRDM Device Technol., MN, USA) ,  LABEL Kenneth A. (NASA, MD, USA) ,  ADAMS James H. (NASA, AL, USA)
Material： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Trans Nucl Sci)
Volume： 54  Issue： 4,Pt.2  Page： 898-903  Publication year： Aug. 2007 
JST Material Number： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *SRAM ,...
Semi thesaurus term： *RADSAFE ,...

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JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (6)： CMOS ,  SRAM ,  シングルイベントアップセット ,  応答 ,  モデル化 ,  応用