Art

J-GLOBAL ID：200902299884611927   Reference number：08A0812051

A 97.8% Efficient GaN HEMT Boost Converter With 300-W Output Power at 1MHz

1MHzで300W出力電力をもつ97.8%高効率GaN系HEMT昇圧変換器

Author (4)： WU Yifeng (Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA) ,  JACOB-MITOS Matt (Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA) ,  MOORE Marcia L. (Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA) ,  HEIKMAN Sten (Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 29  Issue： 8  Page： 824-826  Publication year： Aug. 2008 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *power converter ,  gallium nitride ,  *HEMT ,  switching transistor ,  electric power source equipment ,  frequency characteristic ,  current-voltage characteristic ,  power electronics ,  power efficiency ,  switching element

JST classification (2)： Power converters  (NB08030B) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 出力電力 ,  高効率 ,  GaN ,  HEMT ,  昇圧変換器