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J-GLOBAL ID：200903000004169579

半導体装置およびその作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996308686
Publication number (International publication number)：1998135350
Application date： Nov. 04, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：
【要約】【課題】 CMOS回路におけるしきい値電圧の偏りを是正する。【解決手段】 短チャネル効果によるしきい値電圧の減少および狭チャネル効果によるしきい値電圧の増加を利用して、Nチャネル型半導体装置とPチャネル型半導体装置のしきい値電圧を別々に制御する。この時、Nチャネル型半導体装置のしきい値電圧を増加させ、Pチャネル型半導体装置のしきい値電圧を減少させることで、両者のしきい値電圧の絶対値を概略同一のものとする。
Claim (excerpt)：
Nチャネル型半導体装置およびPチャネル型半導体装置とを相補的に組み合わせたCMOS構造を有する半導体装置において、前記Nチャネル型半導体装置および前記Pチャネル型半導体装置のしきい値電圧の絶対値が概略同一となる様に、前記Nチャネル型半導体装置には狭チャネル効果を強める手段が施され、前記Pチャネル型半導体装置には短チャネル効果を強める手段が施されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 半導体集積回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-043407   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置とその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-113447   Applicant：セイコー電子工業株式会社
  • 特開昭60-134468
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