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J-GLOBAL ID:200903000008150562

半導体装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 芝野 正雅
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999032822
Publication number (International publication number):2000232105
Application date: Feb. 10, 1999
Publication date: Aug. 22, 2000
Summary:
【要約】【課題】 ウェハや半導体チップの歪みを取り除くと共に、シールリングのより高機能化を実現する。【解決手段】 シールリング15は、タングステンプラグ9、12とメタル電極6、13で構成し、第2の開口部11を形成する際に第1の凹み部32に、Wから成るスペーサを形成する。これにより二重のシールリングが実現できると共にウェハ歪みが取り除かれる。
Claim (excerpt):
半導体基板上に形成されたIC回路形成部と、前記IC回路形成部を囲んで形成されたダイシングライン部と、前記IC回路形成部から前記ダイシングライン部に渡り形成された第1の絶縁膜と、前記ダイシングライン部と前記IC回路形成部間に対応する半導体基板がリング状に露出した複数の第1の開口部と、前記第1の開口部に埋め込まれた第1のタングステンプラグと、前記第1のタングステンプラグとコンタクトしリング状に形成された第1のメタル電極と、前記IC回路形成部から前記ダイシングライン部に渡り形成された第2の絶縁膜と、前記第1のメタル電極の外側を囲み、前記ダイシングライン部に対応する第2の絶縁膜が取り除かれた第1の凹み部と、前記第1のメタル電極がリング状に露出した複数の第2の開口部と、前記第2の開口部に埋め込まれた第2のタングステンプラグと、前記第2のタングステンプラグとコンタクトしリング状に形成された第2のメタル電極と、前記IC回路形成部から前記ダイシングライン部の第1の凹み部に渡り形成された第3の絶縁膜と、前記第1の凹み部の側壁を前記第3の絶縁膜が覆った状態でダイシングされたダイシング部とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301
FI (3):
H01L 21/88 S ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 R
F-Term (33):
4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104DD04 ,  4M104DD17 ,  4M104DD19 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104DD66 ,  4M104DD74 ,  4M104EE12 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG13 ,  4M104HH20 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM15 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15

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