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J-GLOBAL ID：200903000010181459

光CVD法によるブレーズド格子形成方法

Inventor： 上杉 文彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993012176
Publication number (International publication number)：1994222208
Application date： Jan. 28, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】SiO2 上にAlのマルチ位相レベルのブレーズド格子を、Al-CVD速度を面内で変化させることによって、レジストレスで直接形成する。【構成】SiO2 基板11の表面上では200°C付近での熱CVDによるAlの成長は困難であるが、SR15の照射による活性な反応誘起層16A,16Bの形成によって可能になる。反応誘起層の活性度はSR照射時間に比例する。DMAH12中で活性度の異なる反応誘起層16A〜16Dを面内でパターニングした後に、全面にCVDを行ないAl膜17を形成する。

Claim 1：

酸化シリコンからなる基板上へ有機アルミニウムガス中で時間を変えて光照射を行ない活性度の異なるCVD反応誘起層のパターンを形成する工程と、全面にCVD法によりAl膜を形成し前記反応誘起層上に活性度の差に応じて異なる厚さのAl膜を同時に成長させる工程とを含むことを特徴とする光CVD法によるブレーズド格子の形成方法。