Pat
J-GLOBAL ID：200903000014358477
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996329614
Publication number (International publication number)：1997186148
Application date： Dec. 14, 1992
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】 CVD等の工程を有する半導体製造方法において、発生するパーティクルによる装置汚染を回避し歩留りの向上を図る。【解決手段】 第1の不活性ガスラインから反応室内へ不活性ガスを供給すると共に、圧力ゲージラインに連結する第2の不活性ガスラインから反応室内へ不活性ガスを供給する工程と、第1及び第2の不活性ガスラインから反応室内へ不活性ガスを供給している状態で、反応室内へウエハを搬入する工程と、反応室内にウエハを搬入した後、第2の不活性ガスラインから反応室への不活性ガスの供給を止める工程と、第2の不活性ガスラインからの不活性ガスの供給を止めた状態で、ウエハの処理及び反応室内の圧力を測定する工程と、ウエハの処理後、反応室からウエハを搬出するに際し、第2の不活性ガスラインから反応室内へ不活性ガスを供給する工程とからなる。
Claim (excerpt)：
反応室内にプロセスガスを供給する為のプロセスガスラインに連結する第1の不活性ガスラインから前記反応室内へ不活性ガスを供給すると共に、前記反応室内の圧力を測定する圧力ゲージに接続された圧力ゲージラインに連結する第2の不活性ガスラインから反応室内へ不活性ガスを供給する工程と、前記第1及び第2の不活性ガスラインから前記反応室内へ不活性ガスを供給している状態で、フロントドアから前記反応室内へウエハを搬入する工程と、前記反応室内にウエハを搬入した後、前記フロントドアを閉じ、前記第2の不活性ガスラインから前記反応室への不活性ガスの供給を止める工程と、前記第2の不活性ガスラインからの不活性ガスの供給を止めた状態で、前記ウエハの処理及び前記反応室内の圧力を測定する工程と、前記ウエハの処理後、前記フロントドアを開き前記反応室から前記ウエハを搬出するに際し、前記第2の不活性ガスラインから前記反応室内へ不活性ガスを供給する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/31
, C23C 16/44
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
H01L 21/31 B
, C23C 16/44 C
, H01L 21/205
, H01L 21/302 A
