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J-GLOBAL ID：200903000022392447

オーバハングの低減および底部カバレージの改善のための変調誘導電力及びバイアス電力の使用

Inventor： ジョン シー. フォースター ,  プラブラム ゴパルラジャ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000319620
Publication number (International publication number)：2001284286
Application date： Oct. 19, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、スパッタされイオン化された材料を使用して基板上への1種以上の材料の不適合ではないステップ・カバレージを実現する方法及び装置を提供する。【解決手段】 プラズマは、エネルギを1種以上のガスに結合することにより処理領域内で発生され維持される。処理領域107内に配置されたターゲット104は、スパッタされその後プラズマ雰囲気中でイオン化される材料源を提供している。基板110上への堆積中、プラズマ密度は、プラズマに供給されるエネルギを変えることにより変調される。プラズマが減衰している期間の間、基板支持部材112に対するバイアスは、プラズマの残光期間中、正に帯電している粒子を基板110に引き付ける力を周期的に強めるため、比較的高い電力に増大される。一実施例においては、ターゲットへのバイアスも変調されている。

Claim (excerpt)：

プラズマ処理装置であって、前記装置は:(a)キャビティを形成する処理チャンバ本体と;(b)前記キャビティの近くに配置されるターゲットと;(c)前記キャビティの近くに配置される基板支持部材と;(d)前記キャビティの近くに配置されるプラズマ発生装置と;(e)前記ターゲット,前記基板支持部材及び前記プラズマ発生装置の各々と結合される変調電力源と、を備える、プラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/285 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/285 S ,  C23C 14/34 S ,  H01L 21/203 S ,  H05H 1/46 R