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J-GLOBAL ID：200903000025298956

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 中谷 喜紀 ,  青森 繁 ,  田中 淳
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997041188
Publication number (International publication number)：1998242467
Application date： Feb. 25, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 安価で破損の少ない樹脂基板上に形成可能な多結晶シリコンゲルマニウム薄膜を半導体層に用いたTFTの特性を向上させ、安価で大型なライン状光センサーや液晶表示装置を実現する。【解決手段】 基板上に、ゲート電極、絶縁膜、チャンネルとなる半導体層、及びソース/ドレインを有する薄膜トランジスタであって、前記半導体層とソース/ドレインとの間に、前記半導体層よりも電気的な抵抗が大きい部分を有する薄膜トランジスタ。

Claim (excerpt)：

基板上に、ゲート電極、絶縁膜、チャンネルとなる半導体層、及びソース/ドレインを有する薄膜トランジスタであって、前記半導体層とソース/ドレインとの間に、前記半導体層よりも電気的な抵抗が大きい部分を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (4)：

H01L 29/78 617 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 627 G