光電変換素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006015376
Publication number (International publication number)：2007201007
Application date： Jan. 24, 2006
Publication date： Aug. 09, 2007
Summary：

【課題】電極の剥離を抑制することができるとともに変換効率を向上することができる光電変換素子を提供する。【解決手段】半導体基板の一主面に第1の金属と半導体基板の材料との共晶層を有し、半導体基板の一主面上に第1の金属を含む第1電極層、第1の金属を含むダスト層および第2の金属を含む第2電極層を有する光電変換素子であって、第2電極層の半導体基板側の表面の少なくとも一部が第1電極層および/または共晶層と接触している光電変換素子である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板の一主面に第1の金属と前記半導体基板の材料との共晶層を有し、前記半導体基板の前記一主面上に前記第1の金属を含む第1電極層、前記第1の金属を含むダスト層および第2の金属を含む第2電極層を有する光電変換素子であって、前記第2電極層の前記半導体基板側の表面の少なくとも一部が前記第1電極層および/または前記共晶層と接触していることを特徴とする、光電変換素子。

IPC (2)：

H01L 31/04 , H01L 21/28

FI (2)：

H01L31/04 H , H01L21/28 301R

F-Term (18)：

4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104CC01 , 4M104DD51 , 4M104DD79 , 4M104GG05 , 4M104HH08 , 5F051AA02 , 5F051CB20 , 5F051CB27 , 5F051DA03 , 5F051FA10 , 5F051FA14 , 5F051FA15 , 5F051FA17 , 5F051FA24 , 5F051GA04 , 5F051HA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

太陽電池素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-019497 Applicant：京セラ株式会社
太陽電池およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-291498 Applicant：シヤープ株式会社
特開昭59-032179

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