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J-GLOBAL ID:200903000046979635
直流スパッタリング可能でかつ異常放電の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
富田 和夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000134382
Publication number (International publication number):2001316804
Application date: May. 08, 2000
Publication date: Nov. 16, 2001
Summary:
【要約】【課題】直流スパッタリング可能な硫化亜鉛-ケイ素とチタンの複合酸化物-酸化インジウム系焼結体からなる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】ケイ素とチタンの複合酸化物:10〜30モル%、酸化インジウム:0.5〜30モル%を含有し、残部が硫化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする直流スパッタリング可能でかつ異常放電の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。
Claim (excerpt):
ケイ素とチタンの複合酸化物:10〜30モル%、酸化インジウム:0.5〜30モル%を含有し、残部が硫化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする直流スパッタリング可能でかつ異常放電の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。
IPC (4):
C23C 14/34
, C04B 35/547
, C23C 14/06
, G11B 7/26 531
FI (4):
C23C 14/34 A
, C23C 14/06 D
, G11B 7/26 531
, C04B 35/00 T
F-Term (18):
4G030AA16
, 4G030AA34
, 4G030AA37
, 4G030AA56
, 4G030BA01
, 4K029BA45
, 4K029BA46
, 4K029BA48
, 4K029BA50
, 4K029BA51
, 4K029BD12
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 5D121AA04
, 5D121EE03
, 5D121EE11
, 5D121EE14
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