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J-GLOBAL ID：200903000058087705
プラズマ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
中本 菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992327618
Publication number (International publication number)：1994151371
Application date： Nov. 13, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【目的】プラズマ中より反応種を積極的に引出すと共に、被処理体に悪影響を与えることなく高性能なプラズマ処理を行う。【構成】電子加速手段22によって加速される電子が照射されると共に、反応ガスが供給される処理室3内に、半導体ウエハWを保持するサセプタ24を配置する。サセプタ24に反応種引込み用の高周波電源RFを接続する。これにより、反応ガスへの電子の照射によって励起されるプラズマ中から反応種が引出され、この反応種によって半導体ウエハ表面の処理を行う。
Claim (excerpt)：
プラズマから電子を引出し加速して照射することにより、処理室内に供給される所定の反応ガスを励起してプラズマ化し、このプラズマにより被処理体の処理を行うプラズマ装置において、上記処理室内に配置されて上記被処理体を保持する被処理体保持手段に反応種であるイオンと帯電を中和する電子を引込むための高周波電圧を印加することを特徴とするプラズマ装置。
IPC (5)：
H01L 21/302
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H05H 1/46
Cited by examiner (6)
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